Now Reading
Samsung esitteli 10 nanometrin valmistustekniikalla valmistettavat Exynos-piirit

Elektroniikkajätti Samsung on juuri esitellyt uuden Exynos 9 -sarjan 8895-mobiilipiirin, jonka massatuotanto on päästy aloittamaan. Kyse on yhtiön ensimmäisistä piireistä, jotka valmistetaan käyttämällä yhtiön 10nm FinFET-valmistustekniikkaa.

Samsungin mukaan uusi piirisarja on 27 prosenttia suorituskykyisempi ja kuluttaa 40 prosenttia vähemmän virtaa kuin 14 nanometrin valmistustekniikalla valmistettavat edeltäjänsä. Aiheesta uutisoi muun muassa ulkomainen verkkolehti Softpedia, jonka mukaan Exynos 9 -piirit pakkaavat ensimmäisinä sisäänsä Gigabitin yhteydet tarjoavan LTE-modeemin.

Samsungin uusi Exynos 8895 -piirisarja sisältää kahdeksan suoritinydintä, joista neljä ovat Samsungin toisen sukupolven ja loput neljä puolestaan Cortex A53 -suoritinytimiä. Edellä mainitun lisäksi, Samsung on sisällyttänyt piirisarjaan myös ARMin Mali-G71 -grafiikkayksikön.

Mitä mieltä sinä olet?
Aivan mahtavaa
33%
Mahtavaa
33%
Ei hyvä
8%
Ihan tyhmää
8%
Ottaa päähän
17%
About The Author
Toimitus
Mato78.com perustettiin vuonna 2006. Sivusto kattaa digiajan ihmeitä teknologian, viihteen, tieteen ja pelaamisen saralta. Sivuston tehtävänä on tarjota uutisia uutuuksista ja arvosteluja sekä tietoa erilaisista digiajan tuotteista.